- A+
在硬件设计中,经常性的要使用RC延时电路,比如用于复位,用于时序控制。以前仅知道RC电路能延时,却很少关注RC延时电路精确的计算方法。下面是一个最基本的RC与三极管的组成电路,如下图:
很简单的一个电路,上电合闸的瞬间,RC充电不到三极管导通电压的时候,三极管截止,三极管发射极输出高电平;当RC充电到三极管导通电压的时候,三极管饱和导通,然后三极管发射极输出低电平。
那么,该电路的延时时间计算公式是T = -RC * ln[(E-V)/V],其中,R是电阻值,C是电容值,E是电容在无负载网络时能获得的最高电压,V是电容能在电路中实际达到的最高电压。
那么在本电路中,把参数带入计算公式:T = -100 * 10^3 * 10 * 10^-6 * ln[(5-0.5)/5] = 105 * 10^-3秒 = 105毫秒。
再看看仿真的结果125毫秒,如下图,基本上与仿真的效果在数量级上是一致的,为啥就差了20毫秒呢?误差百分比为约等于20%。
三极管在BC两端电压0.5V的时候开始导通,100毫秒内开始饱和导通,下降沿不够陡峭,推测是因为基极电流比较小的原因导致。
那么在把基极电阻换成10K看看?
再来看看改后的电路图与仿真结果。按照上个公式的理论:T = -10 * 10^3 * 10 * 10^-6 * ln[(5-0.5)/5] = 10.5 * 10^-3秒 = 10.5毫秒。同样误差百分比也是约为20%。
仿真的结果:
难道是三极管导通电压从0.5V-0.664V,电容充电导致的影响?(在PN结导通稳定时,电压是0.664V),暂时还无解。期待日后有高人指点迷津。
电路知识,仍然要多加强了解与学习,单靠调试经验是往往不够的,务必要定性做出计算分析,方能上一个台阶。